Apple mới đây đã ra mắt dòng iPhone 15 Pro mới nhưng đang gặp phải nhiều vấn đề về quá nóng, tiếp tục được mệnh danh là “Trái Thanh Long”. Theo thông tin từ các phương tiện truyền thông Hàn Quốc, vấn đề này có thể liên quan đến chíp A17 Pro được Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) sản xuất dựa trên công nghệ 3nm. Điều này cũng tạo ra cơ hội cho Samsung. Hiện tại, Apple và TSMC vẫn chưa có bất kỳ phản hồi nào về vấn đề này.
Theo báo cáo của 《Business Korea》, gần đây, nhiều người dùng Trung Quốc đã phản ánh rằng, sau khi chạy các trò chơi cấu hình cao trên dòng điện thoại iPhone 15 Pro, nhiệt độ điện thoại đã tăng lên đến 48℃ trong vòng 30 phút, chip bán dẫn xuất hiện hiện tượng nóng quá mức. Điều này thường cho thấy có khuyết điểm trong thiết kế hoặc có sự cố trong quá trình sản xuất, chẳng hạn như không thể kiểm soát việc rò rỉ điện.
Truyền thông Hàn Quốc trích dẫn nguồn tin từ giới công nghiệp cho rằng, quy trình sản xuất của TSMC có thể đang gặp vấn đề, nguyên nhân có thể là do quy trình FinFET truyền thống đã đạt đến giới hạn trong việc thu nhỏ (miniaturization). Công nghệ này được giới thiệu vào năm 2011, có khả năng kiểm soát sự đi qua của điện tử từ “ba mặt” (nếu không kiểm soát tốt độ chạy của điện tử sẽ gây ra rò rỉ điện), cho đến 4 nanomet mới là công nghệ không thể thiếu trong việc thiết kế chip, và TSMC cũng đã dẫn dắt thị trường trong công nghệ FinFET. Tuy nhiên, với việc quy trình sản xuất được nâng cấp lên dưới 3 nanomet, việc kiểm soát dòng điện bằng FinFET trở nên đầy thách thức.
Mối lo ngại lớn hơn là, nếu sản phẩm 3 nanomet đầu tiên có lỗi, quy trình sau cũng có thể gặp phải vấn đề tương tự dựa trên công nghệ giống nhau. TSMC đã công bố việc tung ra một số quy trình sau 3 nanomet, bao gồm “N3E” thế hệ thứ hai kế tiếp “N3B” thế hệ đầu tiên.
Tuy nhiên, phân tích viên của công ty chứng khoán Quốc tế Thiên Phong, ông Quách Minh Khuê, đã khẳng định rằng vấn đề quá nóng của dòng iPhone 15 Pro không liên quan đến quy trình sản xuất 3 nm của TSMC. Nguyên nhân chính có thể là do nỗ lực giảm trọng lượng của thiết bị, dẫn đến những thỏa hiệp trong thiết kế hệ thống tản nhiệt, chẳng hạn như diện tích tản nhiệt nhỏ hơn hoặc việc sử dụng hợp kim titan ảnh hưởng đến hiệu quả tản nhiệt.
Trước đây, Samsung Electronics đã gặp phải những thách thức với quy trình sản xuất 5 nanometer và gặp sự thất bại trong quy trình sản xuất 5 nanomet và 4 nanomet tương tự, điều này cũng đã dẫn đến vấn đề quá nhiệt của vi mạch được lắp đặt trong Galaxy S22, làm cho những khách hàng lớn như Qualcomm chuyển sang TSMC, khiến cho tỷ lệ thị phần của TSMC và Samsung mở rộng 50,3 phần trăm quý trước.
Để rơi lại xu thế giảm sút, Samsung đã thay đổi lớn trong quy trình sản xuất 3 nm bằng cách sử dụng cấu trúc “Cổng bao quanh” (GAA), cung cấp nhiều mặt kiểm soát hơn, có thể kiểm soát dòng điện một cách tinh vi hơn, giảm tiêu thụ năng lượng và tăng hiệu suất chức năng khoảng 10%.
Theo dự đoán của Hi Investment & Securities, tỷ lệ sản phẩm chất lượng của Samsung ở quy trình 3 nanomet sẽ vượt quá 60%. Trong khi đó, tỷ lệ ống nhôm 3 nanomét của TSMC khoảng 55%. Một số người lo lắng rằng nếu những nghi ngờ về tỷ lệ chất lượng ống nhôm 3 nanomet của TSMC vẫn còn, khách hàng chính có thể lựa chọn hoặc chuyển sang sử dụng sản phẩm của Samsung.
TSMC đã thừa nhận giới hạn của quy trình FinFET và tuyên bố sẽ chuyển sang sử dụng quy trình GAA cho các sản phẩm 2 nanomet tuy nhiên, việc chuyển đổi này có thể bị trì hoãn do TSMC đã ban đầu lên kế hoạch sản xuất hàng loạt các sản phẩm bán dẫn 2 nanomet vào năm 2025, và sản xuất các mẫu vào năm 2024, nhưng việc xây dựng nhà máy 2 nanomet tại Đài Loan đã bị chậm trễ.
Ngay lập tức tham gia tài khoản chính thức LINE của “TVBS Entertainment News”, mang đến cho bạn những tin tức showbiz và đủ tất cả các thông tin giải trí!
